Справочник IGBT. BM63363S-VC

 

BM63363S-VC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BM63363S-VC
   Тип транзистора: IGBT + Diode + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для BM63363S-VC

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BM63363S-VC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  rohm
 bm63363s-va bm63363s-vc.pdf pdf_icon

BM63363S-VC

DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive BM63363S-VA BM63363S-VC General Description Key Specifications BM63363S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.5V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Low

 8.1. Size:687K  rohm
 bm63364s-va bm63364s-vc.pdf pdf_icon

BM63363S-VC

DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive BM63364S-VA BM63364S-VC General Description Key Specifications BM63364S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.5V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Low

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IGW100N60H3 | MIAA10WE600TMH | TGAN40N90FD | 2MBI300U2B-060 | LEGM200BA120L2H | BSM150GB120DN2 | SPT25N120F1A1T8TL

 

 
Back to Top

 


 
.