BM63363S-VC datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: BM63363S-VC 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для BM63363S-VC
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
BM63363S-VC даташит
bm63363s-va bm63363s-vc.pdf
Datasheet Inverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive BM63363S-VA BM63363S-VC General Description Key Specifications BM63363S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT 1.5V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF 1.5V(Typ) wheel diodes. Low
bm63364s-va bm63364s-vc.pdf
Datasheet Inverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for low speed switching drive BM63364S-VA BM63364S-VC General Description Key Specifications BM63364S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT 1.5V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF 1.5V(Typ) wheel diodes. Low
Другие IGBT... 7MBR75U2B060, 7MBR75VB060-50, 7MBR75VB120-50, 7MBR75VN120-50, 7MBR75VP060-50, 7MBR75VR120-50, 7MBR75VX120-50, BM63363S-VA, RJH3047, BM63364S-VA, BM63364S-VC, BM63763S-VA, BM63763S-VC, BM63764S-VA, BM63764S-VC, BSM10GD120DN2, BSM10GD120DN2_E3224
History: 7MBR75VR120-50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet


