BM63764S-VA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BM63764S-VA  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 41 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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BM63764S-VA datasheet

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BM63764S-VA

Datasheet Inverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63764S-VA BM63764S-VC General Description Key Specifications BM63764S-VA /-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF 1.5V(Typ) wheel diodes. Sm

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BM63764S-VA

Datasheet Inverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63763S-VA BM63763S-VC General Description Key Specifications BM63763S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF 1.5V(Typ) wheel diodes. Sma

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