Справочник IGBT. BM63764S-VA

 

BM63764S-VA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BM63764S-VA
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

BM63764S-VA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  rohm
 bm63764s-va bm63764s-vc.pdf pdf_icon

BM63764S-VA

DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63764S-VA BM63764S-VC General Description Key Specifications BM63764S-VA /-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Sm

 8.1. Size:970K  rohm
 bm63763s-va bm63763s-vc.pdf pdf_icon

BM63764S-VA

DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63763S-VA BM63763S-VC General Description Key Specifications BM63763S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Sma

Другие IGBT... 7MBR75VR120-50 , 7MBR75VX120-50 , BM63363S-VA , BM63363S-VC , BM63364S-VA , BM63364S-VC , BM63763S-VA , BM63763S-VC , CRG15T120BNR3S , BM63764S-VC , BSM10GD120DN2 , BSM10GD120DN2_E3224 , BSM10GP120 , BSM10GP60 , BSM150GAL120DLC , BSM150GAL120DN2 , BSM150GAR120DN2 .

History: MMG100J060U | APTGF150A120T | FD600R17KF6C_B2 | IRG4BC30KD-S | MMG200D170B | NCE15TD120BD

 

 
Back to Top

 


 
.