BSM200GB60DLC Todos los transistores

 

BSM200GB60DLC - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSM200GB60DLC
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 730 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 230 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSM200GB60DLC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  eupec
 bsm200gb60dlc.pdf pdf_icon

BSM200GB60DLC

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 200 GB 60 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 Vcollector-emitter voltageTc= 50C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTc= 25C IC 230 APeriodischer Kollektor Spitzenstrom

 6.1. Size:244K  infineon
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BSM200GB60DLC

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM200GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro

 6.2. Size:156K  eupec
 bsm200gb170dlc.pdf pdf_icon

BSM200GB60DLC

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 200 GB 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungTvj = 25C VCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 400 APeriodischer Kollek

 6.3. Size:88K  eupec
 bsm200gb120dlc.pdf pdf_icon

BSM200GB60DLC

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM200GB120DLCIGBT-Modulesvorlufige Datenpreliminary dataHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 420

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History: IQS2B57N120K4 | IXGH2N250 | FB20R06W1E3_B11 | APTGF25DDA120T3 | HGT1S7N60B3D | IXGH30N60B2

 

 
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