BSM200GB60DLC datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: BSM200GB60DLC 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 730 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 230 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для BSM200GB60DLC
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
BSM200GB60DLC даташит
bsm200gb60dlc.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM 200 GB 60 DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 V collector-emitter voltage Tc= 50 C IC,nom. 200 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tc= 25 C IC 230 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom
bsm200gb120dlc.pdf
Technische Information / technical information IGBT-Module BSM200GB120DLC IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H chstzul ssige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung T = 25 C V 1200 V collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstro
bsm200gb170dlc.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM 200 GB 170 DLC IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Tvj = 25 C VCES 1700 V collector-emitter voltage TC = 80 C IC,nom. 200 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 25 C IC 400 A Periodischer Kollek
bsm200gb120dlc.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM200GB120DLC IGBT-Modules vorl ufige Daten preliminary data H chstzul ssige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 V collector-emitter voltage TC = 80 C IC,nom. 200 A Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 25 C IC 420
Другие IGBT... BSM200GA170DN2, BSM200GA170DN2S, BSM200GAL120DLC, BSM200GAL120DN2, BSM200GAR120DN2, BSM200GB120DLC, BSM200GB120DN2, BSM200GB170DLC, MBQ40T65FDSC, BSM200GD60DLC, BSM20GD60DLC_E3224, BSM25GAL120DN2, BSM25GB120DN2, BSM25GD120DN2, BSM25GD120DN2_E3224, BSM300GA120DLC, BSM300GA120DLCS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement





