BSM200GB60DLC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM200GB60DLC
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 730 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 230 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM200GB60DLC
BSM200GB60DLC Datasheet (PDF)
bsm200gb60dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 200 GB 60 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 600 Vcollector-emitter voltageTc= 50C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTc= 25C IC 230 APeriodischer Kollektor Spitzenstrom
bsm200gb120dlc.pdf

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM200GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro
bsm200gb170dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 200 GB 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungTvj = 25C VCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 400 APeriodischer Kollek
bsm200gb120dlc.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM200GB120DLCIGBT-Modulesvorlufige Datenpreliminary dataHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-Sperrspannung VCES 1200 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 420
Другие IGBT... BSM200GA170DN2 , BSM200GA170DN2S , BSM200GAL120DLC , BSM200GAL120DN2 , BSM200GAR120DN2 , BSM200GB120DLC , BSM200GB120DN2 , BSM200GB170DLC , IRGB20B60PD1 , BSM200GD60DLC , BSM20GD60DLC_E3224 , BSM25GAL120DN2 , BSM25GB120DN2 , BSM25GD120DN2 , BSM25GD120DN2_E3224 , BSM300GA120DLC , BSM300GA120DLCS .
History: IGC50T120T8RQ | NCE100ED65VTP | NGTB30N65IHL2 | 2SH31 | 2PG009 | VS-GT105LA120UX | VS-GT100TP60N
History: IGC50T120T8RQ | NCE100ED65VTP | NGTB30N65IHL2 | 2SH31 | 2PG009 | VS-GT105LA120UX | VS-GT100TP60N



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement