TGL75N120FDR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TGL75N120FDR  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 658 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.79 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 23 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 171 pF

Encapsulados: TO264

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TGL75N120FDR datasheet

 ..1. Size:1001K  trinnotech
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TGL75N120FDR

TGL75N120FDR Field Stop Trench IGBT Features TO - 264 1200V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5 s RoHS Compliant JEDEC Qualification G C E Applications UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGL75N120FDR TO-264 TGL75N120FDR

Otros transistores... GT30J124, TGPF15N60FDR, TGPF20N60FDR, TGH80N65F2D2, 1MB03D-120, 1MB05-120, 1MB05D-120, 1MB08-120, 1MB08D-120