TGL75N120FDR Todos los transistores

 

TGL75N120FDR IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TGL75N120FDR
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 658 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.79 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 23 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 171 pF
   Paquete / Cubierta: TO264

 Búsqueda de reemplazo de TGL75N120FDR - IGBT

 

Principales características: TGL75N120FDR

 ..1. Size:1001K  trinnotech
 tgl75n120fdr.pdf pdf_icon

TGL75N120FDR

TGL75N120FDR Field Stop Trench IGBT Features TO - 264 1200V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5 s RoHS Compliant JEDEC Qualification G C E Applications UPS, Welder, Inverter, Solar Device Package Marking Remark TGL75N120FDR TO-264 TGL75N120FDR

Otros transistores... TGH80N65F2DR , TGH80N65F2DS , TGHP75N120F2D , TGHP75N120FDR , TGL75N120FDR , TGPF15N60FDR , TGPF20N60FDR , TGH80N65F2D2 , FGPF4536 , 1MB05-120 , 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , 1MB15D-060 , 1MB20-060 .

 

 
Back to Top

 


 
.