TGL75N120FDR - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TGL75N120FDR
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 658 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.79 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 23 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 171 pF
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de TGL75N120FDR - IGBT
TGL75N120FDR Datasheet (PDF)
tgl75n120fdr.pdf
TGL75N120FDRField Stop Trench IGBTFeaturesTO - 264 1200V Field Stop Trench IGBT Technology Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Short Circuit Withstanding Time 5s RoHS Compliant JEDEC QualificationG C EApplicationsUPS, Welder, Inverter, SolarDevice Package Marking RemarkTGL75N120FDR TO-264 TGL75N120FDR
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Liste
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