CM100DY-24A Todos los transistores

 

CM100DY-24A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM100DY-24A
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 672 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1500 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 500 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM100DY-24A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  1
 cm100dy-24a.pdf pdf_icon

CM100DY-24A

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CM100DY-24A

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CM100DY-24A

CM100DU-12FPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD100 Amperes/600 VoltsAN DP - NUTS (3 TYP)TC MEASURED POINTYEC2E1 E2 C1WQ (2FPLACES)X GBFDescription:Powerex IGBTMOD Modules M K K Jare designed for use in switching Rapplications. Each module con-H (4PLACES)sis

 8.2. Size:163K  1
 cm100du-24f.pdf pdf_icon

CM100DY-24A

CM100DU-24FPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD100 Amperes/1200 VoltsAN DP - NUTS (3 TYP)TC MEASURED POINTYEC2E1 E2 C1WQ (2 FPLACES)X GBFDescription:Powerex IGBTMOD Modules M K K Jare designed for use in switching Rapplications. Each module con-H (4PLACES)sis

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History: FF150R12KS4 | GT50G102 | STGB10NC60KDT4 | SGR2N60UFD | APT100GT120JR | FB20R06W1E3-B11 | IRGP4760D

 

 
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