CM100DY-24A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM100DY-24A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 672 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1500 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM100DY-24A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM100DY-24A даташит

 ..1. Size:188K  1
 cm100dy-24a.pdf pdf_icon

CM100DY-24A

 4.1. Size:182K  1
 cm100dy-24nf.pdf pdf_icon

CM100DY-24A

 8.1. Size:129K  1
 cm100du-12f.pdf pdf_icon

CM100DY-24A

CM100DU-12F Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Dual IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts A N D P - NUTS (3 TYP) TC MEASURED POINT Y E C2E1 E2 C1 W Q (2 F PLACES) X G B F Description Powerex IGBTMOD Modules M K K J are designed for use in switching R applications. Each module con- H (4 PLACES) sis

 8.2. Size:163K  1
 cm100du-24f.pdf pdf_icon

CM100DY-24A

CM100DU-24F Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Dual IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts A N D P - NUTS (3 TYP) TC MEASURED POINT Y E C2E1 E2 C1 W Q (2 F PLACES) X G B F Description Powerex IGBTMOD Modules M K K J are designed for use in switching R applications. Each module con- H (4 PLACES) sis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BSM75GD120DN2, BSM75GD60DLC, BSM75GP60, CM1000DUC-34SA, CM1000DXL-24S, CM100DU-12F, CM100DU-24F, CM100DU-24NFH, FGA60N65SMD, CM100DY-24NF, CM100MXA-24S, CM100RL-12NF, CM100RL-24NF, CM100RX-12A, CM100RX-24S, CM100RX-24S1, CM100TL-12NF