CM100DY-24NF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM100DY-24NF
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 650 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2000 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM100DY-24NF Datasheet (PDF)
cm100du-12f.pdf
CM100DU-12FPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD100 Amperes/600 VoltsAN DP - NUTS (3 TYP)TC MEASURED POINTYEC2E1 E2 C1WQ (2FPLACES)X GBFDescription:Powerex IGBTMOD Modules M K K Jare designed for use in switching Rapplications. Each module con-H (4PLACES)sis
cm100du-24f.pdf
CM100DU-24FPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD100 Amperes/1200 VoltsAN DP - NUTS (3 TYP)TC MEASURED POINTYEC2E1 E2 C1WQ (2 FPLACES)X GBFDescription:Powerex IGBTMOD Modules M K K Jare designed for use in switching Rapplications. Each module con-H (4PLACES)sis
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History: IRG7PH28UD1 | APT40GP90BG
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Liste
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