Справочник IGBT. CM100DY-24NF

 

CM100DY-24NF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM100DY-24NF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 650 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM100DY-24NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  1
 cm100dy-24nf.pdf pdf_icon

CM100DY-24NF

 4.1. Size:188K  1
 cm100dy-24a.pdf pdf_icon

CM100DY-24NF

 8.1. Size:129K  1
 cm100du-12f.pdf pdf_icon

CM100DY-24NF

CM100DU-12FPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD100 Amperes/600 VoltsAN DP - NUTS (3 TYP)TC MEASURED POINTYEC2E1 E2 C1WQ (2FPLACES)X GBFDescription:Powerex IGBTMOD Modules M K K Jare designed for use in switching Rapplications. Each module con-H (4PLACES)sis

 8.2. Size:163K  1
 cm100du-24f.pdf pdf_icon

CM100DY-24NF

CM100DU-24FPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD100 Amperes/1200 VoltsAN DP - NUTS (3 TYP)TC MEASURED POINTYEC2E1 E2 C1WQ (2 FPLACES)X GBFDescription:Powerex IGBTMOD Modules M K K Jare designed for use in switching Rapplications. Each module con-H (4PLACES)sis

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APT40GP90BG | IRG7PH28UD1

 

 
Back to Top

 


 
.