CM100MXA-24S Todos los transistores

 

CM100MXA-24S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM100MXA-24S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 750 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM100MXA-24S Datasheet (PDF)

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CM100MXA-24S

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CM100MXA-24S

CM1000DXL-24SPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBT www.pwrx.comNX-Series Module1000 Amperes/1200 VoltsABG CDJEKL FAM AMK AHAMAT AU AU AV AUAJAL63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41LAEYMX(4 PLACES)40 AMAK391R Q383736DETAIL "A"ZS35T342

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CM100MXA-24S

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CM100MXA-24S

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History: IXYA20N65C3 | NCE100ED75VT | IXBT16N170AHV | HGTD10N40F1 | SPT40N120 | STGWA20H65DFB2 | STGF15H60DF

 

 
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