CM10MD-24H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM10MD-24H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 57 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1500 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM10MD-24H Datasheet (PDF)
cm10md-24h.pdf

MITSUBISHI IGBT MODULESCM10MD-24HMEDIUM POWER SWITCHING USEINSULATED TYPECM10MD-24HIC ..................................................................... 10AVCES ......................................................... 1200VInsulated TypeCIB Module3 Inverter+3 Converter+BrakeUL RecognizedYellow Card No. E80276 (N)File No. E80271APPLICATIONAC & DC mot
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IXYH40N90C3D1 | APT35GP120J | NGTB30N65IHL2 | HGT1S7N60B3D | MMIX4B22N300 | STGWA20HP65FB2 | KGF15N120NDS
History: IXYH40N90C3D1 | APT35GP120J | NGTB30N65IHL2 | HGT1S7N60B3D | MMIX4B22N300 | STGWA20HP65FB2 | KGF15N120NDS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116