CM10MD-24H Todos los transistores

 

CM10MD-24H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM10MD-24H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 57 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 10 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1500 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM10MD-24H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  1
cm10md-24h.pdf pdf_icon

CM10MD-24H

MITSUBISHI IGBT MODULESCM10MD-24HMEDIUM POWER SWITCHING USEINSULATED TYPECM10MD-24HIC ..................................................................... 10AVCES ......................................................... 1200VInsulated TypeCIB Module3 Inverter+3 Converter+BrakeUL RecognizedYellow Card No. E80276 (N)File No. E80271APPLICATIONAC & DC mot

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXYH40N90C3D1 | APT35GP120J | NGTB30N65IHL2 | HGT1S7N60B3D | MMIX4B22N300 | STGWA20HP65FB2 | KGF15N120NDS

 

 
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