CM10MD-24H - аналоги и описание IGBT

 

CM10MD-24H - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: CM10MD-24H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1500 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CM10MD-24H

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры CM10MD-24H

 ..1. Size:166K  1
 cm10md-24h.pdf pdf_icon

CM10MD-24H

MITSUBISHI IGBT MODULES CM10MD-24H MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE CM10MD-24H IC ..................................................................... 10A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type CIB Module 3 Inverter+3 Converter+Brake UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) File No. E80271 APPLICATION AC & DC mot

Другие IGBT... CM100RX-24S , CM100RX-24S1 , CM100TL-12NF , CM100TL-24NF , CM100TU-12F , CM100TU-24F , CM100TX-24S , CM100TX-24S1 , IRG7R313U , CM1200DB-34N , CM1200DC-34N , CM1200E4C-34N , CM1200HA-34H , CM1200HA-50H , CM1200HA-66H , CM1200HB-50H , CM1200HB-66H .

History: BSM300GA170DN2E3166

 

 
Back to Top

 


 
.