CM10MD-24H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM10MD-24H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1500 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM10MD-24H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM10MD-24H даташит

 ..1. Size:166K  1
 cm10md-24h.pdf pdf_icon

CM10MD-24H

MITSUBISHI IGBT MODULES CM10MD-24H MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE CM10MD-24H IC ..................................................................... 10A VCES ......................................................... 1200V Insulated Type CIB Module 3 Inverter+3 Converter+Brake UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) File No. E80271 APPLICATION AC & DC mot

Другие IGBT... CM100RX-24S, CM100RX-24S1, CM100TL-12NF, CM100TL-24NF, CM100TU-12F, CM100TU-24F, CM100TX-24S, CM100TX-24S1, SGT50T65FD1PN, CM1200DB-34N, CM1200DC-34N, CM1200E4C-34N, CM1200HA-34H, CM1200HA-50H, CM1200HA-66H, CM1200HB-50H, CM1200HB-66H