Справочник IGBT. CM10MD-24H

 

CM10MD-24H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM10MD-24H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1500 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 50 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM10MD-24H

 

 

CM10MD-24H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  1
 cm10md-24h.pdf

CM10MD-24H CM10MD-24H

MITSUBISHI IGBT MODULESCM10MD-24HMEDIUM POWER SWITCHING USEINSULATED TYPECM10MD-24HIC ..................................................................... 10AVCES ......................................................... 1200VInsulated TypeCIB Module3 Inverter+3 Converter+BrakeUL RecognizedYellow Card No. E80276 (N)File No. E80271APPLICATIONAC & DC mot

Другие IGBT... CM100RX-24S , CM100RX-24S1 , CM100TL-12NF , CM100TL-24NF , CM100TU-12F , CM100TU-24F , CM100TX-24S , CM100TX-24S1 , FGPF4633 , CM1200DB-34N , CM1200DC-34N , CM1200E4C-34N , CM1200HA-34H , CM1200HA-50H , CM1200HA-66H , CM1200HB-50H , CM1200HB-66H .

 

 
Back to Top