CM1200HA-50H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM1200HA-50H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 10400
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 2500
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 1200
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 3.2
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 2000
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 13200
Paquete / Cubierta: MODULE
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CM1200HA-50H Datasheet (PDF)
cm120n06.pdf
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RCM120N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3
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