CM1200HA-50H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM1200HA-50H
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 10400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2000 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 13200 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 5400 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CM1200HA-50H IGBT
CM1200HA-50H Datasheet (PDF)
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History: IGW50N65F5A
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