CM1200HA-50H Todos los transistores

 

CM1200HA-50H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM1200HA-50H
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 10400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2000 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 13200 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 5400 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM1200HA-50H Datasheet (PDF)

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CM1200HA-50H

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CM1200HA-50H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HA-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HA-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

 5.2. Size:101K  1
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CM1200HA-50H

 7.1. Size:446K  1
 cm1200hcb-34n.pdf pdf_icon

CM1200HA-50H

CM1200HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 1200 A VCES

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History: MMIX4B22N300 | IXSM25N100 | IRGIB4630DPBF

 

 
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