Справочник IGBT. CM1200HA-50H

 

CM1200HA-50H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM1200HA-50H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 13200 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM1200HA-50H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  1
 cm1200ha-50h.pdf pdf_icon

CM1200HA-50H

 5.1. Size:44K  1
 cm1200ha-66h.pdf pdf_icon

CM1200HA-50H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HA-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HA-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

 5.2. Size:101K  1
 cm1200ha-34h.pdf pdf_icon

CM1200HA-50H

 7.1. Size:446K  1
 cm1200hcb-34n.pdf pdf_icon

CM1200HA-50H

CM1200HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 1200 A VCES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGT1S7N60B3D | CM100TL-24NF | IRG4BC30K-S | APTGF50X60BTP3 | MMG300Q060B6TC | IXYH40N65B3D1

 

 
Back to Top

 


 
.