Справочник IGBT. CM1200HA-50H

 

CM1200HA-50H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM1200HA-50H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 13200 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 5400 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM1200HA-50H

 

 

CM1200HA-50H Datasheet (PDF)

 9.1. Size:126K  jdsemi
cm120n06.pdf

CM1200HA-50H CM1200HA-50H

RCM120N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 USP 2 3

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top