CM1200HB-50H Todos los transistores

 

CM1200HB-50H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM1200HB-50H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 15600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2000 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 19800 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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CM1200HB-50H Datasheet (PDF)

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CM1200HB-50H

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CM1200HB-50H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HB-66HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HB-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC c

 7.1. Size:446K  1
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CM1200HB-50H

CM1200HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 1200 A VCES

 7.2. Size:44K  1
 cm1200ha-66h.pdf pdf_icon

CM1200HB-50H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HA-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HA-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

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History: FGH40T120SQDNL4 | AP26G40GEO-HF | BSM100GB120DLCK | BLG60T65FDK-F | IHW50N65R5 | NGTG25N120FL2 | 2MBI400N-060-01

 

 
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