CM1200HB-66H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM1200HB-66H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 15600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3300 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2000 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 18000 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CM1200HB-66H IGBT
CM1200HB-66H Datasheet (PDF)
cm1200hb-66h.pdf
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