CM1200HB-66H Todos los transistores

 

CM1200HB-66H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM1200HB-66H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 15600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3300 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2000 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 18000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM1200HB-66H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  1
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CM1200HB-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HB-66HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HB-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC c

 5.1. Size:156K  1
 cm1200hb-50h.pdf pdf_icon

CM1200HB-66H

 7.1. Size:446K  1
 cm1200hcb-34n.pdf pdf_icon

CM1200HB-66H

CM1200HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 1200 A VCES

 7.2. Size:44K  1
 cm1200ha-66h.pdf pdf_icon

CM1200HB-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HA-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HA-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

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History: NGTB50N60S | APT33GF120B2RD | 4MBI400VG-060R-50 | SM2G100US60 | MG200Q2YS40 | IXGH72N60A3 | FGPF4565

 

 
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