CM1200HB-66H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM1200HB-66H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15600 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM1200HB-66H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM1200HB-66H даташит

 ..1. Size:50K  1
cm1200hb-66h.pdfpdf_icon

CM1200HB-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM1200HB-66H HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM1200HB-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC c

 5.1. Size:156K  1
cm1200hb-50h.pdfpdf_icon

CM1200HB-66H

 7.1. Size:446K  1
cm1200hcb-34n.pdfpdf_icon

CM1200HB-66H

 7.2. Size:44K  1
cm1200ha-66h.pdfpdf_icon

CM1200HB-66H

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM1200HA-66H HIGH POWER SWITCHING USE HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM1200HA-66H IC................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC choppers, Ind

Другие IGBT... CM10MD-24H, CM1200DB-34N, CM1200DC-34N, CM1200E4C-34N, CM1200HA-34H, CM1200HA-50H, CM1200HA-66H, CM1200HB-50H, GT30G124, CM1200HC-34H, CM1200HC-50H, CM1200HC-66H, CM1200HCB-34N, CM1200HG-66H, CM1400DU-24NF, CM1400DUC-24S, CM150DU-12F