CM1200HCB-34N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM1200HCB-34N  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 8600 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12000 pF

Encapsulados: MODULE

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CM1200HCB-34N datasheet

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CM1200HCB-34N

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CM1200HCB-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM1200HC-50H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM1200HC-50H IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 2500V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate APPLICATION Traction

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CM1200HCB-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM1200HC-66H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM1200HC-66H IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate APPLICATION Traction

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CM1200HCB-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM1200HC-34H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM1200HC-34H IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

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