Справочник IGBT. CM1200HCB-34N

 

CM1200HCB-34N - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM1200HCB-34N
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8600 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 12000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 15200 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM1200HCB-34N

 

 

CM1200HCB-34N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  1
 cm1200hcb-34n.pdf

CM1200HCB-34N CM1200HCB-34N

CM1200HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 1200 A VCES

 6.1. Size:71K  1
 cm1200hc-50h.pdf

CM1200HCB-34N CM1200HCB-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HC-50HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HC-50H IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 2500V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICATIONTraction

 6.2. Size:183K  1
 cm1200hc-66h.pdf

CM1200HCB-34N CM1200HCB-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HC-66HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HC-66H IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICATIONTraction

 6.3. Size:179K  1
 cm1200hc-34h.pdf

CM1200HCB-34N CM1200HCB-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM1200HC-34HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM1200HC-34H IC ................................................................ 1200A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top