CM1200HG-66H Todos los transistores

 

CM1200HG-66H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM1200HG-66H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 13800 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3300 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1000 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 18000 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 15000 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de CM1200HG-66H - IGBT

 

CM1200HG-66H Datasheet (PDF)

 9.1. Size:126K  jdsemi
cm120n06.pdf

CM1200HG-66H
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