CM1200HG-66H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: CM1200HG-66H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13800 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 1000 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 15000 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM1200HG-66H

 

 

CM1200HG-66H Datasheet (PDF)

Другие IGBT... CM1200HA-50H , CM1200HA-66H , CM1200HB-50H , CM1200HB-66H , CM1200HC-34H , CM1200HC-50H , CM1200HC-66H , CM1200HCB-34N , NGD8201N , CM1400DU-24NF , CM1400DUC-24S , CM150DU-12F , CM150DU-12H , CM150DU-24F , CM150DU-24NFH , CM150DX-24A , CM150DX-24S .