CM150DU-12F - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM150DU-12F
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 520
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 150
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 2700
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 930
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CM150DU-12F - IGBT
CM150DU-12F Datasheet (PDF)
cm150du-12f.pdf
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Liste
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