CM150DU-12F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM150DU-12F
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2700 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 930 nC
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM150DU-12F Datasheet (PDF)
cm150du-12f.pdf

CM150DU-12FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD150 Amperes/600 VoltsP - NUTS (3 PLACES)TC MEASURINGPOINTAN DQ (2 PLACES)EC2E1 E2 C1FB GHFDescription:Powerex IGBTMOD Modulesare designed for use in switchingM K K Japplications. Each module consistsRof two IGBT Transisto
cm150du-12h.pdf

CM150DU-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODU-Series Module150 Amperes/600 VoltsTC Measured PointAE BF G H U JC2E1 E2 C1D 2 - MountingHoles CVK(6.5 Dia.)LDescription:MN3-M5 Nuts Powerex IGBTMOD ModulesO O are designed for use in switching0.110 - 0.5 TabP Q P applications. Each m
cm150du-24f.pdf

CM150DU-24FPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD150 Amperes/1200 VoltsAT - (4 TYP.)DTC MEASURED POINTU (4 PLACES)G2HE2CJB E LCMC2E1 E2 C1E1HG1Description:GPowerex IGBTMOD Modules Q Q P NS - NUTS are designed for use in switching (3 TYP)applications. Each m
cm150du-24nfh.pdf

MITSUBISHI IGBT MODULESCM150DU-24NFHHIGH POWER SWITCHING USECM150DU-24NFHIC ...................................................................150AVCES ......................................................... 1200VInsulated Type2-elements in a packAPPLICATIONHigh frequency switching use (30kHz to 60kHz).Gradient amplifier, Induction heating, power supply, etc.OUTL
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: IXGH34N60B2 | SKM150GB174D | FD800R33KF2C-K | IGW75N60H3 | CM400DY-24NF | IKB40N65ES5 | VS-GB100TP120N
History: IXGH34N60B2 | SKM150GB174D | FD800R33KF2C-K | IGW75N60H3 | CM400DY-24NF | IKB40N65ES5 | VS-GB100TP120N



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout