CM150DY-12NF Todos los transistores

 

CM150DY-12NF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM150DY-12NF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 590 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2800 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 600 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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CM150DY-12NF Datasheet (PDF)

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CM150DY-12NF

 4.1. Size:42K  powerex
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CM150DY-12NF

CM150DY-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module150 Amperes/600 VoltsABH E E HSC2E1 E2 C1GC KSLDescription:R - M5 THD (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesP - DIA. (2 TYP.)are designed for use in switching.110 TABapplications. Each module consistsJ J JN Nof two IGBT Transistors

 6.1. Size:189K  1
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CM150DY-12NF

 6.2. Size:288K  1
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CM150DY-12NF

CM150DY-24NFPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODNF-Series Module150 Amperes/1200 VoltsTC MEASURED POINTTC MEASURED POINT(BASEPLATE)(BASEPLATE)AAF FF FE EE EG2G2E2 GE2 GBBJJN HN HC2E1 E2 C1 E1C2E1 E2 C1 E1G1 GG1 GDescription:Powerex IGBTMOD ModulesK K KK K KM NUTS

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History: IXSH20N60U1

 

 
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