CM150DY-12NF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM150DY-12NF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 590 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2800 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 600 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CM150DY-12NF - IGBT
CM150DY-12NF Datasheet (PDF)
cm150dy-12h.pdf
CM150DY-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module150 Amperes/600 VoltsABH E E HSC2E1 E2 C1GC KSLDescription:R - M5 THD (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesP - DIA. (2 TYP.)are designed for use in switching.110 TABapplications. Each module consistsJ J JN Nof two IGBT Transistors
cm150dy-24nf.pdf
CM150DY-24NFPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODNF-Series Module150 Amperes/1200 VoltsTC MEASURED POINTTC MEASURED POINT(BASEPLATE)(BASEPLATE)AAF FF FE EE EG2G2E2 GE2 GBBJJN HN HC2E1 E2 C1 E1C2E1 E2 C1 E1G1 GG1 GDescription:Powerex IGBTMOD ModulesK K KK K KM NUTS
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Liste
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