Справочник IGBT. CM150DY-12NF

 

CM150DY-12NF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM150DY-12NF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 590 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2800 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 600 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM150DY-12NF

 

 

CM150DY-12NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  1
 cm150dy-12nf.pdf

CM150DY-12NF

 4.1. Size:42K  powerex
 cm150dy-12h.pdf

CM150DY-12NF CM150DY-12NF

CM150DY-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module150 Amperes/600 VoltsABH E E HSC2E1 E2 C1GC KSLDescription:R - M5 THD (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesP - DIA. (2 TYP.)are designed for use in switching.110 TABapplications. Each module consistsJ J JN Nof two IGBT Transistors

 6.1. Size:189K  1
 cm150dy-24a.pdf

CM150DY-12NF

 6.2. Size:288K  1
 cm150dy-24nf.pdf

CM150DY-12NF CM150DY-12NF

CM150DY-24NFPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODNF-Series Module150 Amperes/1200 VoltsTC MEASURED POINTTC MEASURED POINT(BASEPLATE)(BASEPLATE)AAF FF FE EE EG2G2E2 GE2 GBBJJN HN HC2E1 E2 C1 E1C2E1 E2 C1 E1G1 GG1 GDescription:Powerex IGBTMOD ModulesK K KK K KM NUTS

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top