CM150RX-24S1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM150RX-24S1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 935 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3000 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM150RX-24S1 Datasheet (PDF)
cm150rx-12a.pdf
CM150RX-12APowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272Six IGBTMOD + BrakeNX-Series Module150 Amperes/600 VoltsANAHAL AL ALAL AL ALAM AM AMAPAK AKAM AMAJ AJADEATRFAQAD H ARGAE AS34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13JDETAIL "A"AUALAA(4 PLACES) 1235R Q11P10N M L K B
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: MMG100S170B6TC | APT60GF120JRD | APT25GP120BG | 1MBH20D-060 | IRG4IBC20UD | 7MBP75VDA120-50 | BSM50GB170DN2
History: MMG100S170B6TC | APT60GF120JRD | APT25GP120BG | 1MBH20D-060 | IRG4IBC20UD | 7MBP75VDA120-50 | BSM50GB170DN2
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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