CM150RX-24S1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM150RX-24S1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 935 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM150RX-24S1 Datasheet (PDF)
cm150rx-12a.pdf
CM150RX-12APowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272Six IGBTMOD + BrakeNX-Series Module150 Amperes/600 VoltsANAHAL AL ALAL AL ALAM AM AMAPAK AKAM AMAJ AJADEATRFAQAD H ARGAE AS34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13JDETAIL "A"AUALAA(4 PLACES) 1235R Q11P10N M L K B
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: FGH40T65SHDF | 2MBI150N-120 | MITB10WB1200TMH | ATT050K065FQC | IXYA20N65C3 | JNG40T60AI | APTGF90SK60D1
History: FGH40T65SHDF | 2MBI150N-120 | MITB10WB1200TMH | ATT050K065FQC | IXYA20N65C3 | JNG40T60AI | APTGF90SK60D1
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc1740 | c3229 | c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor