CM15TF-12H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM15TF-12H
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 500 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM15TF-12H Datasheet (PDF)
cm15tf-12h.pdf

CM15TF-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Six-IGBT IGBTMODH-Series Module15 Amperes/600 VoltsABL K K MT - DIA.(2 TYP.)GuP SuP GvP SvP GwP SwPPD H EJU V WNGuN SuN GvN SvN GwN SwNQ Q PS S SCDescription:.250 TAB.110 TAB Powerex IGBTMOD Modulesare designed for use in switchingapplications. Each
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History: IXYH40N65C3H1 | SKM50GB12V | APTGF150SK120T | NCE40TS120VTP | IKD04N60RA | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P
History: IXYH40N65C3H1 | SKM50GB12V | APTGF150SK120T | NCE40TS120VTP | IKD04N60RA | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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