CM15TF-12H datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: CM15TF-12H 📄📄
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 45 nC
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CM15TF-12H
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
CM15TF-12H даташит
cm15tf-12h.pdf
CM15TF-12H Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Six-IGBT IGBTMOD H-Series Module 15 Amperes/600 Volts A B L K K M T - DIA. (2 TYP.) GuP SuP GvP SvP GwP SwP P D H E J U V W N GuN SuN GvN SvN GwN SwN Q Q P S S S C Description .250 TAB .110 TAB Powerex IGBTMOD Modules are designed for use in switching applications. Each
Другие IGBT... CM150RX-24S, CM150RX-24S1, CM150RXL-34SA, CM150TL-12NF, CM150TL-24NF, CM150TU-12F, CM150TX-24S, CM150TX-24S1, MBQ40T65FDSC, CM1600HC-34H, CM1800DY-34S, CM1800HC-34H, CM1800HC-34N, CM1800HCB-34N, CM200DU-12F, CM200DU-12NFH, CM200DU-24F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107

