CM200DX-24S Todos los transistores

 

CM200DX-24S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM200DX-24S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1500 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 4000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM200DX-24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  1
cm200dx-24s.pdf pdf_icon

CM200DX-24S

 6.1. Size:493K  1
cm200dx-34sa.pdf pdf_icon

CM200DX-24S

 8.1. Size:50K  1
cm200dy-24h.pdf pdf_icon

CM200DX-24S

MITSUBISHI IGBT MODULESCM200DY-24HHIGH POWER SWITCHING USEINSULATED TYPEABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KMitsubishi IGBT Modules are de-RQ - M6 THDN - DIA. signed for use in switching applica-(3 TYP.)(4 TYP.)tions. Each module consists of twoTAB#110 t=0.5IGBTs in a half-bridge configurationMLwith each transistor having a re-Mverse-conne

 8.2. Size:136K  1
cm200du-24f.pdf pdf_icon

CM200DX-24S

CM200DU-24FPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD200 Amperes/1200 VoltsAT - (4 TYP.)DTC MEASURED POINTU (4 PLACES)G2HE2CJB E LCMC2E1 E2 C1E1HG1Description:GPowerex IGBTMOD Modules Q Q P NS - NUTS are designed for use in switching (3 TYP)applications. Each m

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History: APTGT600U170D4 | APTGT75SK120D1

 

 
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