CM200DX-24S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM200DX-24S  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM200DX-24S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM200DX-24S даташит

 ..1. Size:563K  1
cm200dx-24s.pdfpdf_icon

CM200DX-24S

 6.1. Size:493K  1
cm200dx-34sa.pdfpdf_icon

CM200DX-24S

 8.1. Size:50K  1
cm200dy-24h.pdfpdf_icon

CM200DX-24S

MITSUBISHI IGBT MODULES CM200DY-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE A B F F G P C2E1 E2 C1 J C D P Description K Mitsubishi IGBT Modules are de- R Q - M6 THD N - DIA. signed for use in switching applica- (3 TYP.) (4 TYP.) tions. Each module consists of two TAB#110 t=0.5 IGBTs in a half-bridge configuration M L with each transistor having a re- M verse-conne

 8.2. Size:136K  1
cm200du-24f.pdfpdf_icon

CM200DX-24S

CM200DU-24F Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Trench Gate Design Dual IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts A T - (4 TYP.) D TC MEASURED POINT U (4 PLACES) G2 H E2 C J B E L CM C2E1 E2 C1 E1 H G1 Description G Powerex IGBTMOD Modules Q Q P N S - NUTS are designed for use in switching (3 TYP) applications. Each m

Другие IGBT... CM1800DY-34S, CM1800HC-34H, CM1800HC-34N, CM1800HCB-34N, CM200DU-12F, CM200DU-12NFH, CM200DU-24F, CM200DU-24NFH, FGH30S130P, CM200DX-34SA, CM200DY-12H, CM200DY-12NF, CM200DY-24A, CM200DY-24H, CM200DY-24NF, CM200DY-28H, CM200E3U-24F