Справочник IGBT. CM200DX-24S

 

CM200DX-24S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM200DX-24S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 4000 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM200DX-24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  1
cm200dx-24s.pdfpdf_icon

CM200DX-24S

 6.1. Size:493K  1
cm200dx-34sa.pdfpdf_icon

CM200DX-24S

 8.1. Size:50K  1
cm200dy-24h.pdfpdf_icon

CM200DX-24S

MITSUBISHI IGBT MODULESCM200DY-24HHIGH POWER SWITCHING USEINSULATED TYPEABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KMitsubishi IGBT Modules are de-RQ - M6 THDN - DIA. signed for use in switching applica-(3 TYP.)(4 TYP.)tions. Each module consists of twoTAB#110 t=0.5IGBTs in a half-bridge configurationMLwith each transistor having a re-Mverse-conne

 8.2. Size:136K  1
cm200du-24f.pdfpdf_icon

CM200DX-24S

CM200DU-24FPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignDual IGBTMOD200 Amperes/1200 VoltsAT - (4 TYP.)DTC MEASURED POINTU (4 PLACES)G2HE2CJB E LCMC2E1 E2 C1E1HG1Description:GPowerex IGBTMOD Modules Q Q P NS - NUTS are designed for use in switching (3 TYP)applications. Each m

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APTGT75SK120D1 | APTGT600U170D4

 

 
Back to Top

 


 
.