CM200DY-28H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM200DY-28H
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1500 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 14000 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1020 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CM200DY-28H - IGBT
CM200DY-28H Datasheet (PDF)
cm200dy-28h.pdf
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cm200dy-24h.pdf
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cm200dy-24a.pdf
CM200DY-24APowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Dual IGBTMODwww.pwrx.comA-Series Module200 Amperes/1200 VoltsAF FE EG2E2 GBJN HC2E1 E2 C1 E1G1 GK K KM NUTS Description:LD(3 PLACES)(2 PLACES)Powerex IGBTMOD Modules are designed for use in switching T THICKP P Papplications. Each module Q Q U W
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Liste
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