CM200RL-12NF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CM200RL-12NF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 890 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 3700 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 800 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE

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CM200RL-12NF Datasheet (PDF)

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cm200rl-12nf.pdf

CM200RL-12NFPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Six IGBTMOD + BrakeNF-Series Module200 Amperes/600 VoltsADE F H H EG G G MKNLW V UEVABCNB GBX1 8CNGACXJWP VP UPP GDescription:WP1 1 1Powerex IGBTMOD Modules Eare designed for use in switching R S S Kapplications. Each m

6.1. Size:197K 1
cm200rl-24nf.pdf