CM200RL-12NF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: CM200RL-12NF 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3700 pF
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CM200RL-12NF
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
CM200RL-12NF даташит
cm200rl-12nf.pdf
CM200RL-12NF Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272 Six IGBTMOD + Brake NF-Series Module 200 Amperes/600 Volts A D E F H H E G G G M K N L W V U E V AB CN B G B X 1 8 C N G AC X J WP VP UP P G Description W P 1 1 1 Powerex IGBTMOD Modules E are designed for use in switching R S S K applications. Each m
Другие IGBT... CM200DY-24A, CM200DY-24H, CM200DY-24NF, CM200DY-28H, CM200E3U-24F, CM200EXS-24S, CM200EXS-34SA, CM200HG-130H, GT30F131, CM200RL-24NF, CM200RX-12A, CM200RXL-24S, CM200TL-12NF, CM200TL-24NF, CM200TU-12F, CM20MD-12H, CM225DX-24S1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243




