CM200RX-12A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM200RX-12A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 735 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2700 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM200RX-12A Datasheet (PDF)
cm200rl-12nf.pdf

CM200RL-12NFPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Six IGBTMOD + BrakeNF-Series Module200 Amperes/600 VoltsADE F H H EG G G MKNLW V UEVABCNB GBX1 8CNGACXJWP VP UPP GDescription:WP1 1 1Powerex IGBTMOD Modules Eare designed for use in switching R S S Kapplications. Each m
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History: APTGT35H120T3 | IXGH30N60B | SKM195GAR063DN | NGTB50N120FL2WG | BSM30GD60DLC_E3224 | IRG7PH35UD1M | IRG4BC30UD
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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