CM20MD-12H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM20MD-12H  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 57 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1500 pF

Encapsulados: MODULE

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CM20MD-12H IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CM20MD-12H datasheet

 ..1. Size:189K  1
cm20md-12h.pdf pdf_icon

CM20MD-12H

MITSUBISHI IGBT MODULES CM20MD-12H MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE CM20MD-12H IC ..................................................................... 20A VCES ............................................................600V Insulated Type CIB Module 3 Inverter+3 Converter+Brake UL Recognized Yellow Card No. E80276 (N) File No. E80271 APPLICATION AC & DC mo

Otros transistores... CM200HG-130H, CM200RL-12NF, CM200RL-24NF, CM200RX-12A, CM200RXL-24S, CM200TL-12NF, CM200TL-24NF, CM200TU-12F, FGH40N60UFD, CM225DX-24S1, CM2400HC-34H, CM2400HC-34N, CM2400HCB-34N, CM2500DY-24S, CM25MD-24H, CM300DU-12F, CM300DU-12NFH