CM2400HC-34H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM2400HC-34H  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 17800 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1300 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 30000 pF

Encapsulados: MODULE

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CM2400HC-34H datasheet

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CM2400HC-34H

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM2400HC-34H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM2400HC-34H IC ................................................................ 2400A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

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CM2400HC-34H

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CM2400HC-34H

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