CM2400HC-34H Todos los transistores

 

CM2400HC-34H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM2400HC-34H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 17800 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1300 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 30000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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CM2400HC-34H Datasheet (PDF)

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CM2400HC-34H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM2400HC-34HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM2400HC-34H IC ................................................................ 2400A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

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CM2400HC-34H

CM2400HC-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HC-34N I 2400 A C V 1700 V CES

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CM2400HC-34H

CM2400HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 2400 A VCES

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: RJH60V1BDPP-M0 | FF150R17KE4 | BSM10GP120 | MWI60-06G6K | 2MBI200VH-120-50 | APT20GF120BRDQ1G | APT50GP60JDQ2

 

 
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