CM2400HC-34H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM2400HC-34H  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17800 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 1300 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM2400HC-34H

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM2400HC-34H даташит

 ..1. Size:181K  1
 cm2400hc-34h.pdf pdf_icon

CM2400HC-34H

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM2400HC-34H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM2400HC-34H IC ................................................................ 2400A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

 3.1. Size:681K  1
 cm2400hc-34n.pdf pdf_icon

CM2400HC-34H

 6.1. Size:323K  1
 cm2400hcb-34n.pdf pdf_icon

CM2400HC-34H

Другие IGBT... CM200RL-24NF, CM200RX-12A, CM200RXL-24S, CM200TL-12NF, CM200TL-24NF, CM200TU-12F, CM20MD-12H, CM225DX-24S1, MBQ60T65PES, CM2400HC-34N, CM2400HCB-34N, CM2500DY-24S, CM25MD-24H, CM300DU-12F, CM300DU-12NFH, CM300DU-24F, CM300DU-24NFH