CM2400HC-34N IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM2400HC-34N
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 13100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 2400 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 700 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 19200 pF
Encapsulados: MODULE
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CM2400HC-34N datasheet
cm2400hc-34h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM2400HC-34H HIGH POWER SWITCHING USE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM2400HC-34H IC ................................................................ 2400A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover
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