Справочник IGBT. CM2400HC-34N

 

CM2400HC-34N Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM2400HC-34N
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 2400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 700 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 19200 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM2400HC-34N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  1
 cm2400hc-34n.pdf pdf_icon

CM2400HC-34N

CM2400HC-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HC-34N I 2400 A C V 1700 V CES

 3.1. Size:181K  1
 cm2400hc-34h.pdf pdf_icon

CM2400HC-34N

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM2400HC-34HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM2400HC-34H IC ................................................................ 2400A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC Baseplate Soft Reverse Recover

 6.1. Size:323K  1
 cm2400hcb-34n.pdf pdf_icon

CM2400HC-34N

CM2400HCB-34N HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM2400HCB-34N IC 2400 A VCES

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: STGP10NB60S

 

 
Back to Top

 


 
.