CM400C1Y-24S Todos los transistores

 

CM400C1Y-24S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM400C1Y-24S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2670 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 350 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 8000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM400C1Y-24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  1
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CM400C1Y-24S

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CM400C1Y-24S

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CM400C1Y-24S

CM400HU-24FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSingle IGBTMOD400 Amperes/1200 VoltsM (2 TYP.)N (2 TYP)ADGCEFPGECMCLEBDescription:Powerex IGBTMOD ModulesH J K Rare designed for use in switchingTC MEASURINGL (4 TYP)applications. Each module consistsPOINTof one IGBT Tran

 9.3. Size:45K  1
cm400dy-66h.pdf pdf_icon

CM400C1Y-24S

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM400DY-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM400DY-66H IC...................................................................400A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

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History: DDB6U75N16W1R | CM150RL-24NF | APT20GT60KR | STGF20M65DF2 | 6MBI50VW-120-50 | BSM15GD120DN2 | MMG40S120B6UC

 

 
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