CM600DXL-24S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM600DXL-24S
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4545 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12000 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1400 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM600DXL-24S Datasheet (PDF)
cm600dy-34h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind
Otros transistores... CM50TF-24H , CM50TL-24NF , CM50TU-24F , CM50YE13-12H , CM600DU-24F , CM600DU-24NFH , CM600DU-5F , CM600DX-24S1 , CRG75T60AK3HD , CM600DXL-34SA , CM600DY-12NF , CM600DY-24A , CM600DY-24S , CM600DY-34H , CM600E2Y-34H , CM600HA-5F , CM600HB-90H .
History: CM50YE13-12H | BSM50GP60 | CM100RL-24NF | MMG200D120B6UC
History: CM50YE13-12H | BSM50GP60 | CM100RL-24NF | MMG200D120B6UC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor