CM600DXL-24S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM600DXL-24S
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4545 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 12000 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM600DXL-24S
CM600DXL-24S Datasheet (PDF)
cm600dy-34h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind
Другие IGBT... CM50TF-24H , CM50TL-24NF , CM50TU-24F , CM50YE13-12H , CM600DU-24F , CM600DU-24NFH , CM600DU-5F , CM600DX-24S1 , GT30G122 , CM600DXL-34SA , CM600DY-12NF , CM600DY-24A , CM600DY-24S , CM600DY-34H , CM600E2Y-34H , CM600HA-5F , CM600HB-90H .
History: CM50YE13-12H
History: CM50YE13-12H



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor