Справочник IGBT. CM600DXL-24S

 

CM600DXL-24S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM600DXL-24S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4545 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 12000 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM600DXL-24S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:706K  1
 cm600dxl-24s.pdf pdf_icon

CM600DXL-24S

 5.1. Size:640K  1
 cm600dxl-34sa.pdf pdf_icon

CM600DXL-24S

 7.1. Size:814K  1
 cm600dx-24s1.pdf pdf_icon

CM600DXL-24S

 8.1. Size:166K  1
 cm600dy-34h.pdf pdf_icon

CM600DXL-24S

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APT40GP90BG | IRG7PH28UD1

 

 
Back to Top

 


 
.