CM600DXL-34SA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM600DXL-34SA
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5760 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 13000 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 3310 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM600DXL-34SA Datasheet (PDF)
cm600dy-34h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind
Otros transistores... CM50TL-24NF , CM50TU-24F , CM50YE13-12H , CM600DU-24F , CM600DU-24NFH , CM600DU-5F , CM600DX-24S1 , CM600DXL-24S , GT30F132 , CM600DY-12NF , CM600DY-24A , CM600DY-24S , CM600DY-34H , CM600E2Y-34H , CM600HA-5F , CM600HB-90H , CM600HG-130H .
History: MMG50HD120XB6TC | SMBL1G400US60 | STGB20NC60V | MMIX4B22N300 | RCM10N40 | IXSM25N100 | VS-GT105LA120UX
History: MMG50HD120XB6TC | SMBL1G400US60 | STGB20NC60V | MMIX4B22N300 | RCM10N40 | IXSM25N100 | VS-GT105LA120UX



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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