CM600DXL-34SA Todos los transistores

 

CM600DXL-34SA - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM600DXL-34SA
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5760 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 13000 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 3310 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM600DXL-34SA Datasheet (PDF)

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cm600dxl-34sa.pdf pdf_icon

CM600DXL-34SA

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CM600DXL-34SA

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CM600DXL-34SA

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CM600DXL-34SA

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

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History: MMG50HD120XB6TC | SMBL1G400US60 | STGB20NC60V | MMIX4B22N300 | RCM10N40 | IXSM25N100 | VS-GT105LA120UX

 

 
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