Справочник IGBT. CM600DXL-34SA

 

CM600DXL-34SA Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CM600DXL-34SA
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5760 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 13000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 3310 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CM600DXL-34SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  1
 cm600dxl-34sa.pdf pdf_icon

CM600DXL-34SA

 5.1. Size:706K  1
 cm600dxl-24s.pdf pdf_icon

CM600DXL-34SA

 7.1. Size:814K  1
 cm600dx-24s1.pdf pdf_icon

CM600DXL-34SA

 8.1. Size:166K  1
 cm600dy-34h.pdf pdf_icon

CM600DXL-34SA

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.