CM600DY-12NF Todos los transistores

 

CM600DY-12NF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM600DY-12NF
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1130 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 11000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM600DY-12NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  1
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CM600DY-12NF

 6.1. Size:166K  1
cm600dy-34h.pdf pdf_icon

CM600DY-12NF

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind

 6.2. Size:190K  1
cm600dy-24a.pdf pdf_icon

CM600DY-12NF

 6.3. Size:495K  1
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CM600DY-12NF

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History: APT30GN60SG | MUBW15-12T7 | CM200RL-12NF | SKM400GA124D | APT45GP120B2DQ2G | 6MBP25VBA120-50 | AUIRG4BC30S-S

 

 
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