CM600DY-24A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM600DY-24A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3670 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 190 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 8000 pF
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
CM600DY-24A Datasheet (PDF)
cm600dy-34h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM600DY-34HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM600DY-34H IC...................................................................600A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-elements in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Ind
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History: BSM30GD60DLC_E3224 | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | SKM195GAR063DN | IKW50N65WR5
History: BSM30GD60DLC_E3224 | IXGH30N60B | IRG7PH35UD1M | NGTB50N120FL2WG | IRG4BC30UD | SKM195GAR063DN | IKW50N65WR5



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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