CM600DY-24A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: CM600DY-24A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3670 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 190 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 8000 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2700 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам