CM75TX-24S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM75TX-24S
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1500 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 175 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CM75TX-24S - IGBT
CM75TX-24S Datasheet (PDF)
cm75tu-24f.pdf
CM75TU-24FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSix IGBTMOD75 Amperes/1200 VoltsJT (4 TYP.)KS - NUTS (5 TYP)KRCMN PP GUP EUP GVP EVP GWP EWPL N L N LB EQMGUN EUN GVN EVN GWN EWNTC TC MEASURING MEASURINGU V WPOINT POINTDescription:J JPowerex IGBTMOD ModulesLLLare designed
cm75tu-12f.pdf
CM75TU-12FPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Trench Gate DesignSix IGBTMOD75 Amperes/600 VoltsJT (4 TYP.)S - NUTS (5 TYP) KKRCMN PPGUP EUP GVP EVP GWP EWPL N L N LB EQMGUN EUN GVN EVN GWN EWNTC TC MEASURING MEASURINGPOINT U V W POINTDescription:J JPowerex IGBTMOD ModulesL N L N Lare designe
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Liste
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